[发明专利]光学电压源有效
| 申请号: | 201811530916.2 | 申请日: | 2018-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN110021677B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | G·凯勒;D·富尔曼 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;G01R1/28 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
| 地址: | 德国海*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种光学电压源和一种耦合输出设备,该光学电压源具有数量N个彼此串联连接的半导体二极管(D1,DN),该半导体二极管分别具有pn结,半导体二极管(D1,D2,DN)一起单片地集成并且共同构成第一堆叠(ST1),该第一堆叠具有上侧和下侧,并且该第一堆叠(ST1)的半导体二极管的数量N大于等于2,所述耦合输出设备具有另外的半导体二极管(Dpin),所述另外的半导体二极管具有pin结,所述另外的半导体二极管与第一堆叠的半导体二极管反向串联连接,另外的半导体二极管的下侧与所述第一堆叠的上侧材料锁合地连接,并且所述另外的半导体二极管与所述第一堆叠一起构成总堆叠(STG)。 | ||
| 搜索关键词: | 光学 电压 | ||
【主权项】:
1.一种光学电压源以及耦合输出设备,其中,所述光学电压源具有数量N个彼此串联连接的半导体二极管(D1,DN),所述半导体二极管分别具有pn结,所述半导体二极管(D1,D2,DN)一起单片地集成并且共同构成第一堆叠(ST1),所述第一堆叠具有上侧和下侧,所述第一堆叠(ST1)的半导体二极管(D1,D2,DN)的数量N大于等于2,其特征在于,所述耦合输出设备具有第二堆叠(ST2),所述第二堆叠具有一个另外的半导体二极管(Dpin),所述另外的半导体二极管(Dpin)具有pin结,所述另外的半导体二极管(Dpin)与所述第一堆叠(ST1)的半导体二极管(D1,D2,DN)反向串联地连接,所述另外的半导体二极管(Dpin)的下侧与所述第一堆叠(ST1)的上侧材料锁合地连接,具有所述另外的半导体二极管(Dpin)的所述第二堆叠(ST2)与所述第一堆叠(ST1)一起构成总堆叠(STG)。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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