[发明专利]一种绝缘体上半导体器件结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种绝缘体上半导体器件结构和形成方法，使用常规半导体衬底，通过外延工艺、常规半导体工艺、堆叠工艺、背面沟槽工艺和背面金属化工艺进行半导体器件的制造，无需使用SOI衬底，就可制造出NMOS和PMOS器件；其中，采用背面沟槽与浅沟槽相连，实现了器件之间完全的介质隔离；N型反扩层和P型反扩层采用重掺杂，与背面接触孔形成有效的欧姆接触，实现了NMOS的P阱体区接地，PMOS的N阱体区接电源，减小了体接触的串联电阻，从而避免了SOI器件的浮体效应；并且，器件体区中产生的热量可以通过相连的体区、反扩层、背面接触孔和背面金属层快速导出，避免了自加热效应，防止了器件性能的劣化。

主权项

1.一种绝缘体上半导体器件结构，其特征在于，包括：设于半导体外延层衬底正面和背面的多个结构；其中，设于所述半导体外延层衬底正面的结构包括：位于所述半导体外延层衬底的正面上的浅沟槽隔离，阱区，源漏和栅极；位于所述半导体外延层衬底的正面表面上的后道介质层，以及位于所述后道介质层中的后道金属互连层；设于所述半导体外延层衬底背面的结构包括：位于所述半导体外延层衬底的背面上的背面沟槽隔离和掺杂反扩层；所述背面沟槽隔离相连位于所述浅沟槽隔离的上方，所述掺杂反扩层相连位于所述阱区的上方；位于所述半导体外延层衬底的背面表面上的背面介质层，位于所述背面介质层中且下端连接所述掺杂反扩层的多个背面接触孔，以及相连位于所述背面接触孔上端上的背面金属层。