[发明专利]一种片上集成改变石墨烯能带的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811526548.4 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109407349B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;王磊;冯朋;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 王维 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上集成改变石墨烯能带的结构及其制备方法，涉及片上集成光电子器件领域，该结构包括衬底，其宽度、长度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；形成于衬底表面上的高折射率光波导层以及未被高折射率光波导层覆盖的衬底表面上的第一低折射率材料层；形成于高折射率光波导层与第一低折射率材料层表面上的第一氮化硼材料层；形成于第一氮化硼材料层表面上的石墨烯材料层；形成于石墨烯材料层表面上的第二氮化硼材料层；形成于第二氮化硼材料层表面上的第二低折射率材料层；形成于第二低折射率材料层表面上的金属热电极；以及光输入端和光输出端。本发明提供的片上集成改变石墨烯能带的结构的制备方法简单、成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 改变 石墨 能带 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种片上集成改变石墨烯能带的结构，其包括：衬底(10)，其宽度、长度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；形成于所述衬底(10)表面上的高折射率光波导层(201)以及未被所述高折射率光波导层(201)覆盖的衬底(10)表面上的第一低折射率材料层(301)；形成于所述高折射率光波导层(201)与所述第一低折射率材料层(301)表面上的第一氮化硼材料层(202)；形成于所述第一氮化硼材料层(202)表面上的石墨烯材料层(203)；形成于所述石墨烯材料层(203)表面上的第二氮化硼材料层(204)；形成于所述第二氮化硼材料层(204)表面上的第二低折射率材料层(302)；形成于所述第二低折射率材料层(302)表面上的金属热电极(401)；以及光输入端和光输出端；其中，所述第I方向上具有相对设置的第一端和第二端；所述光输入端与所述第一端连接，所述光输出端与所述第二端连接。
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