[发明专利]高压二极管及其制造方法在审
申请号: | 201811518001.X | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN109786243A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 泉州臻美智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
代理公司: | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人: | 马世中 |
地址: | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高压二极管的制造方法,包括:提供第一导电类型的第一衬底和第二导电类型的第二衬底;自第一衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第一外延层,自第二衬底的下表面向上延伸形成间隔设置的第一导电类型的第一子掺杂区;通过键合工艺将第二衬底的下表面与第一外延层的上表面相连接;自第二衬底的上表面向下延伸形成第一导电类型的第二子掺杂区,第一子掺杂区与第二子掺杂区共同形成第一掺杂区;自第二衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第二外延层;自第二外延层的上表面向下延伸形成第二导电类型的第二掺杂区;在第二掺杂区的上表面形成正面金属层;在第一衬底的下表面形成背面金属层。本发明还提供一种高压二极管。 | ||
搜索关键词: | 衬底 掺杂区 上表面 导电类型 外延层 第一导电类型 高压二极管 向上延伸 下表面 向下延伸 背面金属层 正面金属层 间隔设置 键合工艺 制造 | ||
【主权项】:
1.一种高压二极管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S10:提供一个第一导电类型的第一衬底和一个第二导电类型的第二衬底;步骤S20:自所述第一衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第一外延层,自所述第二衬底的下表面向上延伸形成间隔设置的第一导电类型的第一子掺杂区;步骤S30:通过键合工艺将所述第二衬底的下表面与所述第一外延层的上表面相连接;步骤S40:自所述第二衬底的上表面向下延伸形成与所述第一子掺杂区对应连通的第一导电类型的第二子掺杂区,所述第一子掺杂区与所述第二子掺杂区共同形成第一掺杂区;步骤S50:自所述第二衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第二外延层;步骤S60:自所述第二外延层的上表面向下延伸形成第二导电类型的第二掺杂区;步骤S70:在所述第二掺杂区的上表面形成正面金属层;在所述第一衬底的下表面形成背面金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造