[发明专利]高压二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811518001.X 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN109786243A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 泉州臻美智能科技有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06
代理公司: 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 代理人: 马世中
地址: 362216 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种高压二极管的制造方法,包括:提供第一导电类型的第一衬底和第二导电类型的第二衬底;自第一衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第一外延层,自第二衬底的下表面向上延伸形成间隔设置的第一导电类型的第一子掺杂区;通过键合工艺将第二衬底的下表面与第一外延层的上表面相连接;自第二衬底的上表面向下延伸形成第一导电类型的第二子掺杂区,第一子掺杂区与第二子掺杂区共同形成第一掺杂区;自第二衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第二外延层;自第二外延层的上表面向下延伸形成第二导电类型的第二掺杂区;在第二掺杂区的上表面形成正面金属层;在第一衬底的下表面形成背面金属层。本发明还提供一种高压二极管。
搜索关键词: 衬底 掺杂区 上表面 导电类型 外延层 第一导电类型 高压二极管 向上延伸 下表面 向下延伸 背面金属层 正面金属层 间隔设置 键合工艺 制造
【主权项】:
1.一种高压二极管的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S10:提供一个第一导电类型的第一衬底和一个第二导电类型的第二衬底;步骤S20:自所述第一衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第一外延层,自所述第二衬底的下表面向上延伸形成间隔设置的第一导电类型的第一子掺杂区;步骤S30:通过键合工艺将所述第二衬底的下表面与所述第一外延层的上表面相连接;步骤S40:自所述第二衬底的上表面向下延伸形成与所述第一子掺杂区对应连通的第一导电类型的第二子掺杂区,所述第一子掺杂区与所述第二子掺杂区共同形成第一掺杂区;步骤S50:自所述第二衬底的上表面向上延伸形成第二导电类型的第二外延层;步骤S60:自所述第二外延层的上表面向下延伸形成第二导电类型的第二掺杂区;步骤S70:在所述第二掺杂区的上表面形成正面金属层;在所述第一衬底的下表面形成背面金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州臻美智能科技有限公司,未经泉州臻美智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811518001.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top