[发明专利]一种基于[111]单晶硅的气体敏感芯片阵列及其制作方法在审
| 申请号： | 201811517619.4 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109613085A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王成杨;金建东;李玉玲;尚瑛琪;吴佐飞;李鑫;王明伟;王洋洋;杨永超;刘玺;秦浩;周明军;夏露;刘继江;金鹏飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 宋诗非 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于[111]单晶硅的气体敏感芯片阵列及其制作方法，涉及气体传感器技术领域。本发明是为了解决现有的气体传感器微加热板的加工工艺复杂的问题。本发明加热电极为方波形结构，敏感膜电极为梳状结构，一对敏感膜电极分别位于加热电极的两侧、且加热电极相邻的两个方波之间均有一个敏感膜电极的齿，加热电极和两个敏感膜电极的上表面覆盖有气体敏感膜，[111]单晶硅基底上表面开有隔热腔，支撑层覆盖在[111]单晶硅基底上表面，支撑层上开有多个呈矩形阵列排布的腐蚀孔，每一行相邻的两个腐蚀孔之间均固定有一个气体敏感芯片，气体敏感芯片的引出电极的长度方向均与[111]单晶硅基底的[211]晶向同向。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 加热电极 敏感芯片 敏感膜电极 基底上表面 气体传感器 腐蚀孔 支撑层 矩形阵列排布 方波形结构 气体敏感膜 梳状结构 引出电极 隔热腔 加热板 敏感膜 上表面 方波 覆盖 基底 晶向 同向 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于[111]单晶硅的气体敏感芯片阵列，其特征在于，包括：多个气体敏感芯片、[111]单晶硅基底(1)和支撑层(2)，所述气体敏感芯片包括：加热电极(3)、一对敏感膜电极(4)和气体敏感膜(7)；加热电极(3)为方波形结构，敏感膜电极(4)为梳状结构，一对敏感膜电极(4)分别位于加热电极(3)的两侧、且加热电极(3)相邻的两个方波之间均有一个敏感膜电极(4)的齿，加热电极(3)和一对敏感膜电极(4)的上表面覆盖有气体敏感膜(7)，每个加热电极(3)的两端均连接有引出电极(5)，一对敏感膜电极(4)的首末端反向设置，一对敏感膜电极(4)的末端均连接有引出电极(5)，每个引出电极(5)的末端均连接有一个电极焊盘(6)，[111]单晶硅基底(1)上表面开有隔热腔(9)，支撑层(2)覆盖在[111]单晶硅基底(1)上表面，支撑层(2)上开有多个呈矩形阵列排布的腐蚀孔(8)，每个腐蚀孔(8)均与隔热腔(9)连通，所述矩形阵列的行沿[111]单晶硅基底(1)的[110]晶向设置、列沿[111]单晶硅基底(1)的[211]晶向设置，每一行相邻的两个腐蚀孔之间均固定有一个气体敏感芯片，气体敏感芯片的引出电极(5)的长度方向均与[111]单晶硅基底(1)的[211]晶向同向。
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