[发明专利]一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法有效
| 申请号： | 201811514047.4 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109652858B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;王理;俞大鹏;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/64;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 耦合 台阶 协同效应 制备 单晶六方 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备单晶六方氮化硼的方法，其特征在于，在化学气相沉积系统中形成上游温区和下游温区，所述上游温区和下游温区具有不同的加热温度；将生长源放入所述上游温区，将单晶铜箔放入所述下游温区，利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间的耦合作用以及六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘的耦合作用的协同效应，来实现单晶六方氮化硼的化学气相沉积生长；其中，所述上游温区为低温区，所述下游温区为高温区。
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