[发明专利]一种基于STT-MRAM的非接触式智能卡SoC有效

专利信息
申请号: 201811508222.9 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109656477B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 刘冬生;陈宇阳;李昌兴;胡佳旺;张聪;卢楷文;李豪;罗香华 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于STT‑MRAM的非接触式智能卡SoC,包括:桥接的AHB和APB,与AHB相连的CPU、存储器和加密协处理器,以及与APB相连的数字基带控制器、UART串口和CRG模块;其特征在于,存储器为STT‑MRAM存储器,且其存储空间被划分为:第一存储区,用于固化启动程序;第二存储区,用于存储COS程序;第三存储区,用于存储程序运行时的临时变量;以及第四存储区,用于存储用户数据;存储器还包括译码保护电路;译码保护电路用于在系统启动后阻止对第一存储区和第二存储区的写操作。本发明能够降低非接触式智能卡SoC内的数据交互延时,并实现安全级别、功耗和性能的动态平衡。
搜索关键词: 一种 基于 stt mram 接触 智能卡 soc
【主权项】:
1.一种基于STT‑MRAM的非接触式智能卡SoC,包括:桥接的AHB和APB,与所述AHB相连的CPU、存储器和加密协处理器,以及与所述APB相连的数字基带控制器、UART串口和CRG模块;其特征在于,所述存储器为STT‑MRAM存储器,且其存储空间被划分为:第一存储区,用于固化启动程序;第二存储区,用于存储COS程序;第三存储区,用于存储程序运行时的临时变量;以及第四存储区,用于存储用户数据;所述存储器还包括译码保护电路;所述译码保护电路用于在系统启动后阻止对所述第一存储区和所述第二存储区的写操作。
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