[发明专利]用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811489161.6 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109536965B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 夏品军 申请(专利权)人: 江苏矽研半导体科技有限公司
主分类号: C23F1/40 分类号: C23F1/40;C08H7/00
代理公司: 南京申云知识产权代理事务所(普通合伙) 32274 代理人: 王云
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂及其制备方法,剥锡剂由包括以下重量百分数的组分制备而成:强碱20‑45%、复合络合剂3‑8%、氧化剂0.1‑0.4%、铜的有机缓蚀剂0.2‑0.6%、表面活性剂0.2‑0.8%、稳定剂0.1‑0.5%、余量为水;所述的复合络合剂包括以下组分及重量份含量:改性木质素磺酸钠20‑35份、葡萄糖酸钠10‑15份、酒石酸钾钠6‑12份、乙二胺四甲叉磷酸钠5‑8份及椰子油二乙醇酰胺8‑15份。与现有技术相比,本发明剥锡剂不含有氟化物、硝酸等挥发性物质,在退镀过程中不会产生有毒的含氮氧化物气体,寿命长,能完全剥除印刷线路板表面的不良锡镀层,基本不产生淤泥或淤泥量很小,且退镀后底层完全光亮,不易失去光泽,污水排放量很少,对环境污染小。
搜索关键词: 用于 去除 半导体 封装 不良 镀锡 剥锡剂 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于去除半导体封装件不良镀锡层的剥锡剂,其特征在于,该剥锡剂由包括以下重量百分数的组分制备而成:强碱20‑45%、复合络合剂3‑8%、氧化剂0.1‑0.4%、铜的有机缓蚀剂0.2‑0.6%、表面活性剂0.2‑0.8%、稳定剂0.1‑0.5%、余量为水。
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