[发明专利]与SRAM存储平面和非易失性存储平面相关联的、针对意外翻转而硬化的存储器装置有效
| 申请号： | 201811487628.3 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110047534B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶特;M·巴蒂斯塔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C14/00;H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;彭梦晔 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及与SRAM存储平面和非易失性存储平面相关联的、针对意外翻转而硬化的存储器装置。SRAM基本存储器单元(CELSR)的pMOS晶体管(P1、P2)具有电容器(C1、C2)，其第一电极(ELC1)由对应晶体管的栅极形成，其第二电极(ELC2)例如连接至对应反相器的输出端。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 平面 非易失性 相关 针对 意外 转而 硬化 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：SRAM基本存储器单元，包括与第二反相器交叉耦合的第一反相器，所述第一反相器和所述第二反相器中的每个反相器包括第一晶体管、与所述第一晶体管串联耦合的第二晶体管、以及集成结构，所述集成结构包括：MOS晶体管，包括第一栅极电介质和所述第一栅极电介质上的栅极区域，所述MOS晶体管是所述第一反相器和所述第二反相器中的相应反相器的所述第二晶体管；电容器，包括由所述MOS晶体管的所述栅极区域形成的第一电容器电极、在所述第一电容器电极上的第二电介质、以及在所述第二电介质上的第二电容器电极，其中所述第二电容器电极连接到电势节点；第一导电接触区域，与所述MOS晶体管的所述栅极区域电接触；以及第二导电接触区域，与所述第二电容器电极电接触，其中所述第一导电接触区域和所述第二导电接触区域不彼此电连接；以及非易失性基本存储器单元，包括浮置栅极晶体管，所述浮置栅极晶体管具有耦合到所述第一反相器的输出和所述第二反相器的输入的漏极端子，其中所述SRAM基本存储器单元和所述非易失性基本存储器单元一起形成存储器单元。
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