[发明专利]一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811484894.0 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109628897A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 徐亚军;马小红;努力古·依明;张博;刘江滨 | 申请（专利权）人： | 新疆众和股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C1/03;C22C21/02 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;张小勇 |
| 地址： | 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明为一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法。一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法，包括：(1)将超纯铝与高纯硅真空熔融，配置成硅含量为7‑13wt％的中间合金熔体；(2)将中间合金熔体铸造成中间合金；(3)将超纯铝与中间合金真空熔融，配置成硅含量为0.9‑1.1wt％的高纯铝硅合金熔体；(4)将高纯铝硅合金熔体在线精炼，得精炼后的高纯铝硅合金熔体；(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体在线过滤，得铝液；(6)将铝液进行棒材坯料铸造，得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料。本发明所述的一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法，采用真空熔炼炉自配高纯铝硅中间合金后配制AL‑1wt％Si合金，通过铸造参数控制制备高纯净度、成分均匀且表面质量优异的铝硅合金靶材坯料。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯铝 硅合金 熔体 溅射靶材 中间合金 坯料 制备 真空熔融 超纯铝 铝液 精炼 铸造 真空熔炼炉 靶材坯料 棒材坯料 参数控制 高纯净度 铝硅合金 在线过滤 在线精炼 高纯硅 配置 合金 配制 | ||
【主权项】：
1.一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将超纯铝与高纯硅在800‑850℃下真空熔融，配置成硅含量为7‑13wt％的中间合金熔体；(2)中间合金熔体使用半连续铸造机铸造，得中间合金；(3)将超纯铝与中间合金在730‑745℃下真空熔融，配置成硅含量为0.9‑1.1wt％的高纯铝硅合金熔体；(4)将高纯铝硅合金熔体采用高纯氩气进行在线精炼，得精炼后的高纯铝硅合金熔体；(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体进行在线过滤，得铝液；(6)将铝液采用半连续铸造机水冷进行棒材坯料铸造，得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料。
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