[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201811484634.3 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111293163A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 田意;徐大伟 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括底层半导体层、第一绝缘层、第一顶层半导体层、第二绝缘层、第二顶层半导体层、第一导电类型阱区、第二导电类型漏区、第二导电类型源区及栅区结构，阱区与漏区之间具有漂移区，漂移区中形成有超结结构，第一顶层半导体层中具有自第二导电类型源区向第二导电类型漏区掺杂浓度逐渐递增的第二导电类型掺杂埋层。本发明在第一顶层半导体层中形成N型渐变掺杂层，掺杂浓度由源区到漏区逐渐增加，可在靠近第二绝缘层的界面感应出多余的N型载流子，且多余的N型载流子浓度从源区到漏区逐渐增加，可有效填补由于衬底辅助耗尽效应引起的N型载流子浓度不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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