[发明专利]一种COMS恒定跨导误差放大器在审

专利信息
申请号: 201811482144.X 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109634335A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 刘帘曦;陈逸伟;廖栩锋;朱樟明;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46;H03F3/45;H03F1/30;H03F1/08
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 张捷
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种COMS恒定跨导误差放大器,包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、运算放大器、第一电容、第二电容和电阻。本发明的误差放大器电路采用PMOS输入,使用一个运算放大器对其中一条差分支路上的负载管进行钳位,并在另一条差分支路上的共源级PMOS管与电流源管PMOS管之间接入电阻,且在该支路的输出端接入一个共源级NMOS管,该共源级NMOS管的输出连接到该支路上所接入电阻的远离电流源管PMOS管的一端。这样使得电压变化的大部分落在所接入的电阻上,即电阻的阻值决定误差放大器的跨导值,能够使得本发明误差放大器具有恒定跨导。
搜索关键词: 误差放大器 恒定跨导 共源级 电阻 运算放大器 电流源管 接入电阻 电容 误差放大器电路 电压变化 输出连接 支路 负载管 输出端 钳位
【主权项】:
1.一种COMS恒定跨导误差放大器,其特征在于,包括第一PMOS晶体管(Mp1)、第二PMOS晶体管(Mp2)、第三PMOS晶体管(Mp3)、第四PMOS晶体管(Mp4)、第一NMOS晶体管(Mn1)、第二NMOS晶体管(Mn2)、第三NMOS晶体管(Mn3)、第四NMOS晶体管(Mn4)、运算放大器(OPA)和电阻(Rs),其中,所述第三PMOS晶体管(Mp3)的源极和衬底以及所述第四PMOS晶体管(Mp4)的源极和衬底均连接电源端(VDD),所述第四PMOS晶体管(Mp4)的栅极和漏极均连接所述第三PMOS晶体管(Mp3)的栅极;所述第一PMOS晶体管(Mp1)的源极和衬底均连接所述第三PMOS晶体管(Mp3)的漏极,所述第一PMOS晶体管(Mp1)的栅极连接参考电压输入端(VREF),所述第一PMOS晶体管(Mp1)的漏极同时连接所述第一NMOS晶体管(Mn1)的漏极以及所述运算放大器(OPA)的反向输入端;所述第一NMOS晶体管(Mn1)的栅极连接所述运算放大器(OPA)的同向输入端;所述第三NMOS晶体管(Mn3)的栅极连接所述运算放大器(OPA)的输出端,所述第三NMOS晶体管(Mn3)的漏极同时连接所述第四PMOS晶体管(Mp4)的漏极和栅极;所述第二PMOS晶体管(Mp2)的源极和衬底均连接所述第四NMOS晶体管(Mn4)的漏极,所述第二PMOS晶体管(Mp2)的栅极连接反馈电压输入端(VFB),所述第二PMOS晶体管(Mp2)的漏极同时连接所述第二NMOS晶体管(Mn2)的漏极以及所述第四NMOS晶体管(Mn4)的栅极,在所述第二PMOS晶体管(Mp2)的漏极与所述第二NMOS晶体管(Mn2)的漏极之间设置有输出端(OUT),所述电阻(Rs)连接在所述第三PMOS晶体管(Mp3)的漏极与所述第二PMOS晶体管(Mp2)的源极之间;所述第三NMOS晶体管(Mn3)的源极和衬底、所述第一NMOS晶体管(Mn1)的源极和衬底、所述第二NMOS晶体管(Mn2)的源极和衬底以及所述第四NMOS晶体管(Mn4)的源极和衬底均连接接地端(GND);所述运算放大器(OPA)的同向输入端、所述第一NMOS晶体管(Mn1)的栅极以及所述第二NMOS晶体管(Mn2)的栅极均连接偏置电压端(Bias)。
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