[发明专利]一种基于高功率半导体激光器的激光熔覆方法及系统在审

专利信息
申请号: 201811479386.3 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN109234732A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 周洪涛;蒲荷梅 申请(专利权)人: 攀枝花市三圣机械制造有限责任公司
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10
代理公司: 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;张巨箭
地址: 617000 四川省攀枝*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于高功率半导体激光器的激光熔覆方法,包括以下步骤:对还原罐筒体进行预处理:通过半导体激光光束熔化激光熔覆用的合金粉末在处理后的还原罐筒体上形成激光熔覆层;对完成激光熔覆的还原罐筒体进行后续处理。通过对因长期在压力、温度等循环交变载荷下使得还原罐筒体壁减薄而报废的还原罐进行激光熔覆,使得使用寿命与新还原罐相当,降低了成本;并在完成激光熔覆加工修复后,对修复后的还原罐筒体进行检测进一步保证修复部分的可靠性,及时发现激光熔覆修复过程中出现的隐患。
搜索关键词: 激光熔覆 还原罐 筒体 修复 高功率半导体激光器 半导体激光光束 预处理 熔化 激光熔覆层 合金粉末 后续处理 使用寿命 筒体壁 减薄 交变 报废 检测 加工 保证 发现
【主权项】:
1.一种基于高功率半导体激光器的激光熔覆方法,其特征在于:包括以下步骤:对还原罐筒体进行预处理;通过半导体激光光束熔化激光熔覆用的合金粉末在处理后的还原罐筒体上形成激光熔覆层;对完成激光熔覆的还原罐筒体进行后续处理。
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