[发明专利]应力沟道晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811477083.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109599440B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈勇跃;严磊;周海锋;方精训 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应力沟道晶体管，包括：栅极结构，侧墙，源漏区和沟道区。CESL层覆盖在源区、漏区、栅极结构的侧墙的侧面和多晶硅栅的顶部表面上，CESL层包括采用SiN薄膜组成的缓冲层和应力提供层。应力提供层的SiN薄膜的H含量高并在SiN薄膜沉积之后包括氢释放工艺并氢释放后实现SiN薄膜的固化并从而实现对沟道区的应力的调节，缓冲层阻挡氢释放工艺中的H向源区、漏区和沟道区扩散，从而提升器件的电学性能。本发明还公开了一种应力沟道晶体管的制造方法。本发明能采用CESL的SiN薄膜实现对沟道区的应变传递且能防止SiN薄膜的氢释放的氢扩散到沟道区以及源区和漏区中，从而能改善器件的静态漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 沟道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应力沟道晶体管，其特征在于，包括：栅极结构，由形成于半导体衬底表面的栅介质层和多晶硅栅叠加而成，在所述多晶硅栅的侧面形成有侧墙；被所述多晶硅栅所覆盖的所述半导体衬底的表面形成有沟道区；源区和漏区自对准形成于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底表面；CESL层覆盖在所述源区、所述漏区、所述栅极结构的所述侧墙的侧面和所述多晶硅栅的顶部表面上，所述CESL层包括依次叠加的缓冲层和应力提供层；所述缓冲层和所述应力提供层都采用SiN薄膜组成，淀积后的所述缓冲层的SiN薄膜的H含量低于所述应力提供层的SiN薄膜的H含量，所述应力提供层在淀积后还进行氢释放工艺进行固化，所述应力提供层在固化后形成应力并传递到所述沟道区中并从而调节所述沟道区的载流子迁移率；所述CESL层通过所述缓冲层和所述源区、所述漏区、所述栅极结构的所述侧墙的侧面和所述多晶硅栅的顶部表面接触并通过所述缓冲层阻挡氢释放工艺中的H向所述源区、所述漏区和所述沟道区扩散，从而提升器件的电学性能。
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