[发明专利]一种晶体管及其制作方法

摘要

本申请提出一种晶体管，其包括GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO2钝化层；还包括具有高掺杂区和低掺杂区的双掺杂p型栅结构。本申请还提供一种晶体管制作方法，包括如下过程：制备GaN外延片；在GaN外延片上制成掺杂结构；在掺杂结构中形成低掺杂区；在掺杂结构中形成高掺杂区；制成源极金属电极区、栅极金属电极区和漏极金属电极区。本申请采用简单高效的方法制作晶体管，可操作性强，适合于晶体管量产工艺的开发，利于大批量生产；所制得的晶体管具有两个掺杂浓度的掺杂区域，可以有效提高阈值电压和输出电流。

主权项

1.一种晶体管，其特征在于，包括：GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO₂钝化层；还包括形成于GaN外延片上表面与栅极之间的双掺杂p型栅结构，所述双掺杂p型栅结构包括具有不同金属掺杂浓度的高掺杂区和低掺杂区。