[发明专利]一种高效晶硅太阳能电池制备方法及其制备的电池在审
| 申请号： | 201811468483.2 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109300999A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 曹振;刘林华;宁纪林;武婷婷;刘珊珊;任现坤;姜言森 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0248;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 37249 | 代理人： | 侯绪军 |
| 地址： | 250000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高效晶硅太阳能电池制备方法及其制备的电池，对经过扩散、刻蚀后的硅片采用浓硝酸在硅片的正反两面同时反应生成超薄二氧化硅层，本发明方法制备双面超薄二氧化硅层的温度低，试剂不易挥发，安全性增加。本发明制备的背表面二氧化硅钝化层进一步减少了背表面的载流子复合，提高了开路电压，增加了背反射，使电池内部产生的光生电子数目增加，另外，正面二氧化硅钝化层的存在进一步饱和了一部分悬挂键，降低了界面复合，更进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 超薄二氧化硅层 二氧化硅钝化层 晶硅太阳能电池 背表面 硅片 电池 光电转换效率 载流子复合 太阳能电池 电池内部 光生电子 界面复合 开路电压 数目增加 正反两面 背反射 浓硝酸 悬挂键 挥发 刻蚀 饱和 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种高效晶硅太阳能电池制备方法，其特征在于，对经过扩散、刻蚀后的硅片采用浓硝酸在硅片的正反两面同时反应生成超薄二氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东力诺太阳能电力股份有限公司，未经山东力诺太阳能电力股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811468483.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双面晶体硅太阳能电池片
- 下一篇：薄膜太阳能电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
