[发明专利]一种GaV2 有效
申请号: | 201811466822.3 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109671925B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 倪世兵;杨淑越;陈启长;杨学林 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/48;H01M10/0525 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明提供一种GaV |
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搜索关键词: | 一种 gav base sub | ||
【主权项】:
1.一种GaV2O5/Ga2O3复合物的锂离子电池负极材料的制备方法,其特征在于,具体制备工艺如下:(1)将Ga(NO3)3、V2O5和C6H12N4混合后,添加去离子水搅拌至其完全溶解,同时滴加氨水使Ga(NO3)3的水解;(2)将步骤(1)所得到的混合溶液转移到水热反应釜内衬中,在鼓风烘箱中水热反应后,自然冷却至室温,得到沉淀物;(3)将步骤(2)得到的沉淀物转移至培养皿中,在鼓风烘箱中60~80℃干燥后在惰性气氛下煅烧,煅烧产品经研磨后得到GaV2O5/Ga2O3粉末。
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