[发明专利]一种半导体发光元件在审
| 申请号： | 201811460333.7 | 申请日： | 2018-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109713096A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王星河 | 申请（专利权）人： | 王星河 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，CdHgTe/ZnSSe核壳量子点，CdSeTe/CdSTe核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CdHgTe/ZnSSe核壳量子点发出红光；所述CdSeTe/CdSTe核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 核壳量子点 半导体发光元件 多量子阱 红光 蓝光 绿光 外延片 衬底 | ||
【主权项】：
1.本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，CdHgTe/ZnSSe核壳量子点，CdSeTe/CdSTe核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CdHgTe/ZnSSe核壳量子点发出红光；所述CdSeTe/CdSTe核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。
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