[发明专利]一种用于化学机械研磨的研磨系统及研磨方法在审
| 申请号： | 201811458524.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109531404A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 周仁伟;李虎;杨钰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/005;B24B37/013;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于化学机械研磨的研磨系统及研磨方法，通过改善研磨头结构，通过IAPC系统采集当前前待研磨晶圆的厚度情况，对研磨头各个区域的研磨压力进行改善，以达到CMP后晶圆的薄膜层面内均匀性提高的目的。其特点为能够在较小的区域内调节研磨压力，达到控制小区域范围内的晶圆的厚度。系统在采集当前待磨的厚度信息后反馈给系统，以此来调整研磨头不同区域的研磨压力，研磨后晶圆的厚度信息会反馈给系统，系统会根据研磨后晶圆的厚度信息对给该区域的研磨压力再进行微调，以达到优化研磨薄膜层面内均匀性的目的。本发明结合IAPC系统，可保持研磨工艺稳定性，并可对待研磨的晶圆的厚度进行更好的调节，改善晶圆面内均匀性，提高晶圆价值。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 晶圆 研磨压力 厚度信息 均匀性 研磨头 化学机械研磨 薄膜层面 研磨系统 工艺稳定性 反馈 系统采集 小区域 微调 圆面 采集 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，包括IAPC系统、用于研磨一晶圆的研磨头、多个施力部件；所述研磨头包括圆形的第一研磨区域以及多个与所述第一研磨区域同心的圆环状研磨区域；每个所述圆环状研磨区域均包括包括多个子研磨区域；所述多个施力部件分别用于对所述第一研磨区域以及所述多个子研磨区域提供研磨压力；所述IAPC系统用于采集所述待研磨晶圆的厚度数据并根据所述厚度数据控制所述施力部件施加的研磨压力。
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