[发明专利]磁传感器及位置检测装置有效
| 申请号： | 201811456750.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110260770B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 牧野健三;梅原刚 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01B7/00 | 分类号： | G01B7/00;G01R33/09;H01L43/08;H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁传感器，该磁传感器产生检测信号，该检测信号根据基准平面内的检测位置处的对象磁场的强度而变化。磁传感器包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有第一方向上的磁化的磁化固定层；具有能够根据作用磁场的方向而变化方向的磁化的自由层，该作用磁场是合成作用于其上的所有磁场而得到的磁场。自由层具有单轴磁各向异性，其中易磁化轴朝向平行于第二方向的方向。在基准平面内与第二方向正交的两个方向都不同于目标磁场的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 位置 检测 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其特征在于，所述磁传感器产生检测信号，该检测信号根据基准平面内的检测位置处的规定方向的检测对象磁场的强度而变化，所述磁传感器包括至少一个磁阻效应元件，所述至少一个磁电阻元件包括：具有第一方向上的磁化的磁化固定层；以及具有方向能够根据作用磁场的方向而变化的磁化的自由层，该作用磁场是合成作用于其上的所有磁场而得到的磁场；所述自由层具有易磁化轴朝向平行于第二方向的方向的单轴磁各向异性；所述基准平面是包括所述检测对象磁场的方向、所述第一方向以及所述第二方向的平面；在所述基准平面内，与所述第二方向正交的两个方向中的任何一个都与所述检测对象磁场的方向不同。
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