[发明专利]一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器有效
| 申请号： | 201811451093.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109445132B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 徐培鹏;谢恒;宋以鹏;张芳;周俊;张巍 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，特点是输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N为3‑20内的任意自然数，耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合，优点是便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗以及输出功率可调。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 相变 材料 非易失性可 调谐 方向 耦合器 | ||
【主权项】：
1.一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，所述的SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，其特征在于：所述的输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，所述的GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N取值为3‑20内的任意自然数。
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