[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811443056.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109841586A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 进藤正典 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L23/552 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;郑冀之 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。提供了抑制电磁噪声向外部的泄露和来自外部的电磁噪声的影响并且半导体基板的翘曲很少的半导体装置。具备：在半导体基板的主面上形成的下层绝缘层、与下层绝缘层的上表面相接地形成的密合层、以及导电构件，该导电构件具有在密合层上层叠的具有第一膜厚的第一导电构件、以及在密合层上与第一导电区域相接地层叠并且具有比第一膜厚薄的第二膜厚的第二导电构件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 导电构件 密合层 绝缘层 半导体基板 电磁噪声 膜厚 下层 导电区域 厚薄 上表面 外部 翘曲 制造 泄露 上层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：下层绝缘层，在半导体基板的主面上形成；密合层，与所述下层绝缘层的上表面相接地形成；以及导电构件，包括在所述密合层上层叠的具有第一膜厚的第一导电构件、以及在所述密合层上与所述第一导电构件相接地层叠并且具有比所述第一膜厚薄的第二膜厚的第二导电构件。
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