[发明专利]铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201811442520.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109638224B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 赵胤超;刘晨光;宋皓伟;易若玮;杨莉;赵策洲 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/66;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种电化学能源技术领域铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用，将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体，并复合硅薄膜，增强了锂离子在负极的迁移效率，减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力，具有能量密度高，循环性能好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 铜碳硅 复合 负极 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铜碳硅复合负极片的制备方法，其特征在于，将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。
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