[发明专利]一种片式功率二极管封装工艺在审

专利信息
申请号: 201811442266.6 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109585407A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 吴强德 申请(专利权)人: 嘉兴柴薪科技有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 314001 浙江省嘉兴市南湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种片式功率二极管封装工艺,包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装,片式功率二极管封装设计尺寸为:5.8mm*2.7mm*1.8mm,PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。因为铜框架散热能力强,能够长时间在高温环境中正常工作,同时在缩小器件封装体积情况下,通过减小器件的热阻,提高了器件自身的散热性能。此外,封装外形的超小型体积和超薄型器件高度,能够更方便应用在空间受限的场合下实现PCB板的插贴混装设计,提高单位面积的零件密度使整机产品做得更小更薄。
搜索关键词: 功率二极管 片式 封装工艺 铜框架 超薄型器件 底部平面 封装设计 高温环境 空间受限 器件封装 散热能力 散热性能 整机产品 自动检测 电镀 超小型 混装 减小 两级 热阻 塑封 引脚 印字 封装 焊接 成型 应用
【主权项】:
1.一种片式功率二极管封装工艺,包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装,其特征在于:所述片式功率二极管封装设计尺寸为:5.8mm*2.7mm*1.8mm,PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺;所述片式功率二极管为扁平引脚,两引脚间距2.0mm~2.2mm。
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