[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201811434733.0 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109524485A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵树利;杨立红;陈涛 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 王刚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阳能电池的制备方法，包括：提供基板，采用光刻技术在所述基板上制备背电极层；在所述背电极层上制备吸收层；在所述吸收层上依次制备缓冲层、窗口层和顶电极层。本发明实施例提供的薄膜太阳能电池的制备方法在制备背电极层之前，引入光刻技术，即通过先制备光刻胶掩模，然后沉积背电极镀膜，最后去除光刻胶掩模以及沉积在所述光刻胶掩模上的背电极镀膜的方法得到背电极层，到达背电极层切割的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 背电极层 光刻胶掩模 薄膜太阳能电池 光刻技术 背电极 吸收层 镀膜 基板 沉积 顶电极层 窗口层 缓冲层 去除 切割 电池 引入 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，采用光刻技术在所述基板上制备背电极层；在所述背电极层上制备吸收层；在所述吸收层上依次制备缓冲层、窗口层和顶电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
