[发明专利]一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法有效
| 申请号： | 201811433756.X | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109270626B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘启发;朱莉辉;王慧慧 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/124;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被完全刻穿形成间隔的、周期性的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上溅射一定厚度的金属层作为电极。本发明采用的全刻蚀光栅没有刻蚀深度的问题，并且通过光栅刻槽间加入介质材料，减少光栅和刻槽之间的折射率差，从而获得较窄的反射波段，达到浅刻蚀所能达到的效果，对于完全刻蚀的矩形波导可以和光栅同步制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 晶片 可调 光栅 滤波器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器，其特征在于，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被全刻蚀形成间隔的、周期性设置的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上制备一定厚度的金属层作为加热电极，所述的电极位置位于矩形硅和光栅刻槽的两侧。
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