[发明专利]一种氮化镓与蓝宝石衬底剥离装置及方法有效
| 申请号： | 201811433415.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111243977B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张为国;张俊;李志丹;周炯 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓与蓝宝石衬底剥离装置及方法。该氮化镓与蓝宝石衬底剥离装置包括沿光线传播路径依次设置的光源和样品台；所述样品台用于承载待剥离样品；所述光源用于发出非激光类紫外光，所述非激光类紫外光可照射放置于所述样品台上的当前待剥离样品，以将所述当前待剥离样品中的氮化镓与蓝宝石衬底剥离。本发明实施例提供的氮化镓与蓝宝石衬底剥离装置，通过选择能够产生非激光类紫外光的光源，采用非激光类紫外光照射当前待剥离样品，在保证氮化镓分解的同时，还可以避免当前待剥离样品的其他结构被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 蓝宝石 衬底 剥离 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司，未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811433415.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有可取得云端商品讯息的滑鼠垫及其感应方法
- 下一篇：一种电动阀和空调系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
