[发明专利]一种太阳能电池制备工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能电池制备工艺，所述制备方法如下：采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成多晶方形硅片，采用碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层，采用酸性溶液蚀刻多晶硅片表面，使其表面形成蜂窝状形貌的绒面结构，扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做n型掺杂，太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触，本发明一种太阳能电池制备工艺，采用水基溶液，成本低，工艺过程简单，在一定程度上延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。

主权项

1.一种太阳能电池制备工艺，其特征在于，所述制备方法如下：(1)选料：采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成多晶方形硅片；(2)去除损伤层：采用碱性溶液蚀刻除去多晶硅片表面的机械损伤层；(3)制绒：采用酸性溶液蚀刻多晶硅片表面，使其表面形成蜂窝状形貌的绒面结构，蚀刻时间为5‑10分钟；(4)扩散制结：扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做n型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质；(5)金属接触：晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。