[发明专利]一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET功率器件及其制造方法，该功率器件包括：源极(1)、SiO2层间介质(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P+接触区(5)、N+源区(6)、P阱(7)、额外注入的P型区(8)、N型外延层(9)、N‑外延层(10)、缓冲层(11)、N+衬底(12)和漏极(13)。本发明提出的4H‑SiC MOSFET功率器件采用分离栅结构，该结构可以有效减小输入电容、栅漏电容，提高器件开关性能，在JFET区引入P型掺杂，可以有效降低栅氧化层电场强度，提高器件的可靠性，另一方面采用电流扩展层结构可以兼顾器件的电流能力。

主权项

1.一种4H‑SiC MOSFET功率器件，其特征在于，自上而下依次包括源极、层间介质、栅极、栅氧化层、N型外延层、N‑外延层、缓冲层、N+衬底和漏极；其中，所述漏极形成于所述N+衬底背面，所述缓冲层形成于所述N+衬底正面，所述N‑外延层形成于所述缓冲层之上，所述N型外延层包括P阱、额外注入的P型区、P+接触区和N+源区，所述额外注入的P型区形成于所述栅氧化层下方的JFET区中的部分区域；所述P阱形成于所述N型外延层的左右两侧上部；所述P+接触区形成于所述P阱内远离JFET区的两侧；所述N+源区形成于所述P阱内靠近JFET区的两侧且紧临所述P+接触区；所述栅氧化层形成于靠近JFET区的部分N+源区和整个JFET区之上；所述栅极形成于部分栅氧化层之上；所述层间介质形成于所述栅极和所述源极之间；所述源极形成于所述P+接触区和远离JFET区的部分N+源区之上。