[发明专利]高导电银电极的微振辅助高速冲击沉积方法

摘要

本发明公开一种高导电银电极的微振辅助高速冲击沉积方法，包括：第一步，在硅太阳电池基体表面放置遮挡板，硅太阳电池基体和遮挡板在机械动力的作用下共同发生微小振动，使后续沉积在电池表面的粉末实现紧密结合；第二步，采用直径0.01‑0.1μm的银粉，加速到100‑1000m/s，高速沉积至硅太阳电池基体表面，形成厚度不小于后续沉积粉末直径2倍的第一电极层；第三步，采用直径0.1‑2μm的银粉，加速到100‑1000m/s，高速沉积至硅太阳电池基地的第一电极层表面，通过调节单位面积上的粉末沉积量，形成厚度连续变化的高导电银电极层。本发明通过调控遮挡板上预留楔形狭缝的宽度变化以及太阳电池表面单位面积上的粉末沉积量，控制银电极的厚度及宽窄分布，显著提高电极的汇流效率。

主权项

1.高导电银电极的微振辅助高速冲击沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅太阳电池基体表面放置遮挡板，遮挡板上预留有楔形狭缝且与基体之间的距离高于银电极的设计厚度，硅太阳电池基体和遮挡板在机械动力的作用下共同发生微小振动，使后续沉积在电池表面的粉末实现紧密结合；第二步，采用直径0.01‑0.1μm的银粉，加速到100‑1000m/s，高速沉积至硅太阳电池基体表面，形成厚度大于或等于后续沉积粉末平均直径2倍的第一电极层；第三步，采用直径0.1‑2μm的银粉，加速到100‑1000m/s，高速沉积至硅太阳电池基体的第一电极层表面，通过调节单位面积上的粉末沉积量，形成厚度连续变化的高导电银电极层。