[发明专利]一种C轴取向的碳化硅磁控溅射系统及方法在审

专利信息
申请号: 201811419773.8 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109355707A 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾 申请(专利权)人: 国宏中晶集团有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B35/00;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100089 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种C轴取向的碳化硅磁控溅射系统及方法,其包括至少三个加热单元,一控制PC机,一加热电路。加热单元包括第一钨环(1)、铜制正电极(2)、铜制负电极(3)、安装孔(4)、若干钨杆(5)、第二钨环(6);钨环均是两个半圆环型的钨加热管,第一钨环的两个半圆的同一侧接头接入铜制正电极,钨杆均竖直且同等长度,且均匀地焊接连接两钨环之间,第二钨环的两个半圆环型钨加热管接入铜制负电极(3);三个加热单元在Z轴方向上下排列放置,俯视投影重叠,且两两之间由瓷质圆环垫圈承托并隔离。
搜索关键词: 钨环 铜制 加热单元 磁控溅射系统 半圆环型 负电极 加热管 碳化硅 正电极 钨杆 俯视投影 焊接连接 加热电路 接头接入 控制PC机 上下排列 圆环垫圈 半圆 安装孔 承托 瓷质 竖直 隔离
【主权项】:
1.一种C轴取向的碳化硅磁控溅射系统,其特征在于,包括:至少三个加热单元,一控制PC机,一加热电路;所述加热单元包括第一钨环(1)、铜制正电极(2)、铜制负电极(3)、安装孔(4)、若干钨杆(5)、第二钨环(6);所述第一钨环(1)和第二钨环(6)均是由在单一水平面内放置的两个半圆环型导电的钨加热管组成,第一钨环的两个半圆环型钨加热管的同一侧接头接入铜制正电极(2),所述若干钨杆(5)均竖直且同等长度,且均匀地焊接连接在所述第一钨环(1)和第二钨环(6)之间,第二钨环的两个半圆环型钨加热管的与第一钨环的铜制正电极(2)俯视投影异侧的接头接入铜制负电极(3);所述三个加热单元在Z轴方向上下排列放置,俯视投影重叠,且两两加热单元之间由瓷质圆环垫圈(8)承托并隔离;所述俯视投影重叠的三个加热单元的外面有圆柱形的带有保温层的外壳,内有磁控溅射腔,磁控溅射腔之外,三个加热单元还具有耐热合金的微孔防溅层,所述微孔防溅层上均匀分布有100‑500um的微孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国宏中晶集团有限公司,未经国宏中晶集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811419773.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top