[发明专利]一种C轴取向的碳化硅磁控溅射系统及方法在审
申请号: | 201811419773.8 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109355707A | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 张岩;付吉国;董伟;赵然;周卫东;曾蕾 | 申请(专利权)人: | 国宏中晶集团有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B35/00;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54 |
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地址: | 100089 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种C轴取向的碳化硅磁控溅射系统及方法,其包括至少三个加热单元,一控制PC机,一加热电路。加热单元包括第一钨环(1)、铜制正电极(2)、铜制负电极(3)、安装孔(4)、若干钨杆(5)、第二钨环(6);钨环均是两个半圆环型的钨加热管,第一钨环的两个半圆的同一侧接头接入铜制正电极,钨杆均竖直且同等长度,且均匀地焊接连接两钨环之间,第二钨环的两个半圆环型钨加热管接入铜制负电极(3);三个加热单元在Z轴方向上下排列放置,俯视投影重叠,且两两之间由瓷质圆环垫圈承托并隔离。 | ||
搜索关键词: | 钨环 铜制 加热单元 磁控溅射系统 半圆环型 负电极 加热管 碳化硅 正电极 钨杆 俯视投影 焊接连接 加热电路 接头接入 控制PC机 上下排列 圆环垫圈 半圆 安装孔 承托 瓷质 竖直 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种C轴取向的碳化硅磁控溅射系统,其特征在于,包括:至少三个加热单元,一控制PC机,一加热电路;所述加热单元包括第一钨环(1)、铜制正电极(2)、铜制负电极(3)、安装孔(4)、若干钨杆(5)、第二钨环(6);所述第一钨环(1)和第二钨环(6)均是由在单一水平面内放置的两个半圆环型导电的钨加热管组成,第一钨环的两个半圆环型钨加热管的同一侧接头接入铜制正电极(2),所述若干钨杆(5)均竖直且同等长度,且均匀地焊接连接在所述第一钨环(1)和第二钨环(6)之间,第二钨环的两个半圆环型钨加热管的与第一钨环的铜制正电极(2)俯视投影异侧的接头接入铜制负电极(3);所述三个加热单元在Z轴方向上下排列放置,俯视投影重叠,且两两加热单元之间由瓷质圆环垫圈(8)承托并隔离;所述俯视投影重叠的三个加热单元的外面有圆柱形的带有保温层的外壳,内有磁控溅射腔,磁控溅射腔之外,三个加热单元还具有耐热合金的微孔防溅层,所述微孔防溅层上均匀分布有100‑500um的微孔。
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