[发明专利]晶圆清洗方法及半导体器件制作方法有效
| 申请号： | 201811419203.9 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111223756B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 章杏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆清洗方法及半导体器件制作方法，在同一清洗槽内，先采用酸洗混合溶液来对晶圆表面进行第一次清洗，以去除所述晶圆表面上的大部分光刻掩蔽层，仅剩余一些残余物，再采用漂洗混合溶液对所述晶圆的表面进行第二次清洗，以去除所述残余物，由此，可以一步清洗方式来替代现有的多种多步的清洗方式，简化去胶工艺，降低成本，缩短工艺周期，并避免造成去胶残留。且两次清洗之间具有换液冲洗时间，所述换液冲洗时间小于所述第一清洗的时间且大于所述第二清洗的时间，以提高第二清洗的效果。本发明的技术方案适用于硬掩膜层刻蚀、离子注入、栅极刻蚀、接触孔刻蚀、金属互连层等各种需要光刻掩膜的制程。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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