[发明专利]一种CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201811417873.7 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560144B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李伟民;罗海林;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;贾珍珠 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底、金属背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及金属栅电极，还包括设于CIGS吸收层与金属背电极之间的过渡金属氧化物层，其中，CIGS吸收层的禁带宽度大于1.2eV，过渡金属氧化物层的功函数大于CIGS吸收层的功函数。本发明的CIGS薄膜太阳能电池，通过将具有高功函数的过渡金属氧化物纳米薄膜用做宽禁带CIGS吸光层与金属背电极的中间层，能有效降低CIGS吸收层与金属背电极之间的势垒，有效降低载流子在界面的复合，提高空穴的收集，从而提高宽禁带CIGS太阳能电池的效率。同时，制备所述太阳能电池的过程可控，重复性好，成本低，便于大面积生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cigs 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CIGS薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、金属背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及金属栅电极，还包括设于所述CIGS吸收层与所述金属背电极之间的过渡金属氧化物层，其中，所述CIGS吸收层的禁带宽度大于1.2eV，所述过渡金属氧化物层的功函数大于所述CIGS吸收层的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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