[发明专利]一种含醌式结构的聚合物半导体及其制备和应用在审
| 申请号： | 201811417710.9 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109593184A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王明;黄峻;王锴 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种含醌式结构的聚合物半导体及其制备和应用，结构通式如式(I)所示，制备方法为：将含醌式结构的单体与芳香单元进行共聚制得。本发明所制备的基于此类新型醌式结构的聚合物半导体材料对太阳光谱有较好的匹配，因此可以用作聚合物太阳电池的活性层。本发明所制备的基于此类新型醌式结构的聚合物半导体材料具有较高的载流子迁移能力，因此也可以用于制作聚合物场效应晶体管的活性层。 | ||
| 搜索关键词： | 醌式结构 式( I ) 制备 聚合物半导体材料 聚合物半导体 制备和应用 活性层 聚合物场效应晶体管 聚合物太阳电池 载流子迁移 芳香单元 结构通式 太阳光谱 共聚 匹配 制作 | ||
【主权项】：
1.一种如式I含醌式结构的聚合物半导体，![]()
其中R为C1～C36的烷基链或具有C1～C36的醚链；X1‑X3为氢原子或部分被卤原子取代；π为芳香π结构共聚单元；n＝2～1000。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学，未经东华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811417710.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高结晶度聚醚酮酮及其制备方法
- 下一篇：一种聚对苯二甲酸丙二醇酯的制备方法
