[发明专利]实现拓扑量子比特的装置和相应的制备方法有效
| 申请号： | 201811416752.0 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109755379B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王骏华;吕力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/24;H01L27/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种实现拓扑量子比特的装置，包括：可调门的拓扑绝缘层；所述拓扑绝缘层之上的第一绝缘层和第二绝缘层；第一射频超导量子干涉器和第二射频超导量子干涉器，所述第一射频超导量子干涉器包括第一约瑟夫森结和用于连通所述第一约瑟夫森结的超导部分的第一超导连通部分，所述第二射频超导量子干涉器包括第二约瑟夫森结和用于连通所述第二约瑟夫森结的超导部分的第二超导连通部分；绝缘介质薄膜，其位于所述第一约瑟夫森结和所述第二约瑟夫森结之间并覆盖所述第一约瑟夫森结的至少一部分和所述第二约瑟夫森结的至少一部分；以及门电极，其位于所述绝缘介质薄膜之上。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 拓扑 量子 比特 装置 相应 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现拓扑量子比特的装置，包括：可调门的拓扑绝缘层；所述拓扑绝缘层之上的第一绝缘层和第二绝缘层；第一射频超导量子干涉器和第二射频超导量子干涉器，所述第一射频超导量子干涉器包括第一约瑟夫森结和用于连通所述第一约瑟夫森结的超导部分的第一超导连通部分，所述第二射频超导量子干涉器包括第二约瑟夫森结和用于连通所述第二约瑟夫森结的超导部分的第二超导连通部分，所述第一超导连通部分位于所述第一绝缘层之上，所述第二超导连通部分位于所述第二绝缘层之上，所述第一约瑟夫森结和所述第二约瑟夫森结位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的所述拓扑绝缘层之上并且彼此邻近；绝缘介质薄膜，其位于所述第一约瑟夫森结和所述第二约瑟夫森结之间并覆盖所述第一约瑟夫森结的至少一部分和所述第二约瑟夫森结的至少一部分；以及门电极，其位于所述绝缘介质薄膜之上。
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