[发明专利]具有高压器件的半导体器件结构有效
| 申请号： | 201811416706.0 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN110010672B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 林宏洲;邱奕正;卡思克·穆鲁克什;陈益民;林炫政;江文智;张震谦;詹智元;吴国铭;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。屏蔽元件环在阱区的外围上方延伸并横穿阱区的外围。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高压 器件 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体器件结构，包括：半导体衬底；源极环，位于所述半导体衬底中；漏极区域，位于所述半导体衬底中；掺杂环，围绕所述源极环的侧面和底部；阱区，围绕所述漏极区域和所述掺杂环的侧面和底部，其中，所述阱区的导电类型与所述掺杂环的导电类型相反；导体，电连接至所述漏极区域并在所述阱区的外围上方延伸并横穿所述阱区的外围；以及屏蔽元件环，位于所述导体和所述半导体衬底之间，其中，所述屏蔽元件环在所述阱区的外围上方延伸并横穿所述阱区的外围。
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