[发明专利]一种凹槽阳极平面耿氏二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201811410331.7 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109742232B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 汪瑛;李萌;敖金平;张进成;刘诗斌;周德云;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02;H01L47/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种凹槽阳极平面耿氏二极管，包括：衬底；成核层，位于衬底上；背势垒层，位于成核层上；沟道层，位于背势垒层上；势垒层，位于沟道层上；势垒层和沟道层上设置有凹槽，凹槽将沟道层和势垒层形成的2DEG沟分割为第一2DEG沟道和第二2DEG沟道；阳极，位于凹槽中和势垒层上；阴极，位于背势垒层上；介质层，位于势垒层上。本发明实施例利用凹槽形成两个并联的平面耿氏二极管，通过改变两个沟道的长度来改变沟道中电子畴的运动，实现器件工作频率和输出功率的自由调控，对提高器件工作频率和输出功率的研究具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹槽 阳极 平面 耿氏二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种凹槽阳极双沟道平面耿氏二极管，其特征在于，包括：衬底(1)；成核层(2)，位于所述衬底(1)上；背势垒层(3)，位于所述成核层(2)上；沟道层(4)，位于所述背势垒层(3)上；势垒层(5)，位于所述沟道层(4)上；其中，所述势垒层(5)和所述沟道层(4)上设置有凹槽(9)，所述凹槽(9)将所述沟道层(4)和所述势垒层(5)之间形成的2DEG沟道分割为第一2DEG沟道(10)和第二2DEG沟道(11)；阳极(6)，位于所述凹槽(9)中和所述势垒层(5)上；阴极(7)，位于所述背势垒层(3)上；介质层(8)，位于所述势垒层(5)上。
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