[发明专利]电子设备、三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种电子设备、三维存储器及其制作方法，该制作方法包括如下步骤：在衬底上的堆叠层上制作功能孔，堆叠层包括依次层叠在衬底上的牺牲层和绝缘层，功能孔贯穿堆叠层并延伸进入衬底，在功能孔底部制作形成外延结构；在功能孔的侧壁和外延结构的表面上制作存储层和沟道层，对功能孔进行第一次刻蚀，移除外延结构表面中部的存储层和沟道层，并移除部分外延结构，使得外延结构顶部形成凹槽，使得外延结构包括底部部分和侧壁部分，相对的侧壁部分和底部部分共同围合形成凹槽，侧壁部分与牺牲层对应；对功能孔进行第二次刻蚀，移除沟道层和外延结构的侧壁部分。通过上述设置，从而能避免在功能孔的内壁上形成空洞，防止漏电。

主权项

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上的堆叠层上制作功能孔，所述堆叠层包括依次层叠在所述衬底上的牺牲层和绝缘层，所述功能孔贯穿所述堆叠层并延伸进入所述衬底，在所述功能孔底部制作形成外延结构；在所述功能孔的侧壁和所述外延结构的表面上制作存储层和沟道层，对所述功能孔进行第一次刻蚀，移除所述外延结构表面中部的所述存储层和所述沟道层，并移除部分所述外延结构，使得所述外延结构顶部形成凹槽，使得所述外延结构包括底部部分和侧壁部分，相对的所述侧壁部分和底部部分共同围合形成所述凹槽，所述侧壁部分与所述牺牲层对应；对所述功能孔进行第二次刻蚀，移除所述沟道层和所述外延结构的所述侧壁部分。