[发明专利]一种硅基倒装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811406150.7 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109524513A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张秀敏;黄慧诗;华斌;闫晓密;王书宇;郑宝玉 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种硅基倒装LED芯片，其中，所述硅基倒装LED芯片包括：硅基衬底、发光外延层、共晶键合层和电极，所述电极通过所述共晶键合层与所述硅基衬底连接，所述发光外延层设置在所述电极背离所述共晶键合层的一侧，所述硅基衬底上设置有硅通孔，所述硅通孔内填充有通孔金属，所述通孔金属与所述共晶键合层连接，所述硅基衬底与所述共晶键合层之间设置第一石墨烯层，所述发光外延层能够发出光线。本发明还公开了一种硅基倒装LED芯片的制作方法。本发明提供的硅基倒装LED芯片能够有效增强芯片的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装LED芯片 共晶键合 硅基 硅基衬 发光外延层 电极 硅通孔 通孔 芯片制作技术 金属 散热性能 石墨烯层 填充 制作 背离 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种硅基倒装LED芯片，其特征在于，所述硅基倒装LED芯片包括：硅基衬底、发光外延层、共晶键合层和电极，所述电极通过所述共晶键合层与所述硅基衬底连接，所述发光外延层设置在所述电极背离所述共晶键合层的一侧，所述硅基衬底上设置有硅通孔，所述硅通孔内填充有通孔金属，所述通孔金属与所述共晶键合层连接，所述硅基衬底与所述共晶键合层之间设置第一石墨烯层，所述发光外延层能够发出光线。
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