[发明专利]一种制备二维材料防垢层的方法在审

专利信息
申请号: 201811405630.1 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN111218662A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 马来鹏;任文才;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/513;C23F15/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及防垢层的制备技术领域,具体为一种通过加热生长的方式制备二维材料防垢层的方法,适用于不同基底材料与器件的防垢。采用生长的方法,将基底加热到反应温度,然后通过前驱体的反应在基底表面形成二维材料防垢层。本发明充分利用生长出的二维材料具有本征的原子级表面平整度高以及较高表面化学惰性的特点,制备高性能的防垢层,从而显著降低基底材料表面的结垢率。该方法还可以采用具有高阻隔特性的二维材料,同时提高基底材料的防腐蚀性能。
搜索关键词: 一种 制备 二维 材料 防垢层 方法
【主权项】:
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