[发明专利]一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级有效

专利信息
申请号: 201811396570.1 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109756192B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 刘帅锋 申请(专利权)人: 合肥市芯海电子科技有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/45
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 丁瑞瑞
地址: 236000 安徽省合肥市高新区创新*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级,涉及半导体技术领域,包括:第十PMOS管、第一PMOS管构成输入PMOS差分对及其尾部电流管第二PMOS管、第十NMOS管、第一NMOS管构成输入NMOS管差分对及其尾部电流管第二NMOS管,第五PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管是第二PMOS管、第十PMOS管、第一PMOS管的等比例复制,第五NMOS管镜像第三NMOS管和第四NMOS管的电流,然后再通过第六PMOS管、第七PMOS管的镜像流入NMOS管差分对的尾电流第二NMOS管。本发明优点在于:跨导保持恒定,功耗明显降低,且达到最优的频率补偿,并不会导致信号失真。
搜索关键词: 一种 可靠 低压 轨到轨跨导 放大 电路 输入
【主权项】:
1.一种可靠的低压轨到轨跨导放大电路的输入级,其特征在于,包括:PMOS管差分对及其尾部电流管第二PMOS管、NMOS管差分对及其尾部电流管第二NMOS管,第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管,第十PMOS管、第一PMOS管构成输入PMOS差分对,第十NMOS管、第一NMOS管构成输入NMOS管差分对,所述第五PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管是第二PMOS管、第十PMOS管、第一PMOS管的等比例复制,第五NMOS管镜像第三NMOS管和第四NMOS管的电流,然后再通过第六PMOS管、第七PMOS管的镜像流入NMOS管差分对的尾电流第二NMOS管。
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