[发明专利]一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备

摘要

一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备。本发明包括底座、支撑架、顶梁和第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑鞍，滑鞍左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍右端与第一横向推进机构连接；支撑架左侧设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接升降座上设置有第二电机，第二电机输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上；底座的左上端设置有柜体，柜体的上端设置有第三直线导轨，第三直线导轨上安装有侧面打磨机构。本发明结构简单，自动化程度高，能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片上下表面以及侧面进行快速打磨，打磨效果好，效率高，解决了传统手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。

主权项

1.一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备，其特征在于，它包括底座(21)，其上端设置有支撑架(17)，支撑架(17)的上端设置有顶梁(9)，顶梁(9)的底部设置有第一直线导轨(8)，第一直线导轨(8)上安装有滑鞍(10)，滑鞍(10)的左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍(10)的右端与第一横向推进机构连接，实现左右移动；锑化镓单晶片表面打磨机构包括第一电机(7)、与第一电机(7)输出轴相连的第一转轴(5)、设置在第一转轴(5)末端的第一打磨盘(4)；支撑架(17)的左侧设置有第二直线导轨(18)，第二直线导轨(18)上安装有升降座(16)，升降座(16)与升降机构连接实现上下升降，升降座(16)上设置有第二电机(1)，第二电机(1)的输出轴连接真空吸盘(2)，锑化镓单晶片(3)安装在真空吸盘(2)上，第一打磨盘(4)设置在锑化镓单晶片(3)的正上方；底座(21)的左上端设置有柜体(22)，柜体(22)的上端设置有第三直线导轨(23)，第三直线导轨(23)上安装有滑块(27)；滑块(27)与第二横向推进机构连接，实现左右移动；滑块(27)的上端设置有支撑座(28)，支撑座(28)上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第五电机(31)、与第五电机(31)输出轴相连的第二转轴(30)、设置在第二转轴(30)末端的第二打磨盘(29)，第二打磨盘(29)设置在锑化镓单晶片(3)的侧面。