[发明专利]垂直存储器件在审
| 申请号： | 201811381116.9 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817633A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金森宏治;孙荣晥;俞炳瓘;郑恩宅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种垂直存储器件，其包括：在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上顺序堆叠的第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区；栅电极结构，所述栅电极结构包括在所述第三杂质区上沿所述第一方向彼此间隔开的多个栅电极；沟道，所述沟道在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极结构、所述第二杂质区和所述第三杂质区以及所述第一杂质区的上部；以及电荷存储结构，所述电荷存储结构覆盖所述沟道的外侧壁的一部分和下表面。所述沟道直接接触所述第二杂质区的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质区 沟道 栅电极结构 电荷存储结构 垂直存储器 衬底 方向延伸 顺序堆叠 上表面 外侧壁 下表面 栅电极 侧壁 穿过 垂直 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：在衬底上沿基本垂直于所述衬底的上表面的第一方向顺序堆叠的第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区；栅电极结构，所述栅电极结构包括在所述第三杂质区上沿所述第一方向彼此间隔开的多个栅电极；沟道，所述沟道在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极结构、所述第二杂质区和所述第三杂质区以及所述第一杂质区的上部；以及电荷存储结构，所述电荷存储结构覆盖所述沟道的外侧壁的一部分和下表面，其中，所述沟道直接接触所述第二杂质区的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
