[发明专利]一种改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极及制备方法和应用有效
| 申请号： | 201811376186.5 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109580744B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘吉洋;马欣妤;黄洁;廖敏筠 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N27/48;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极及制备方法和应用，属于新材料技术领域。所述制备方法包括：(1)在电极基底上制备具有开放孔结构的二氧化硅纳米孔道薄膜；(2)利用电泳法、静电吸附法或共价固定法将石墨烯量子点入孔修饰二氧化硅纳米孔道，制得所述的改性二氧化硅纳米孔道膜修饰电极。本发明以小尺寸的GQDs作为功能砌块入孔修饰VMSF电极，制备多样化传感界面，由于孔道的电负性以及石墨烯量子点对金属离子的配位作用和对多巴胺的π‑π堆积作用，可对检测物实现预富集作用，显著提高待测物检测性能，结合VMSF防玷污/抗干扰能力，在复杂样品中多类活性组分的直接、高灵敏电化学检测中具有巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改性 二氧化硅 纳米 孔道 修饰 电极 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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