[发明专利]一种AlGaInP四元LED芯片制备方法在审
| 申请号： | 201811375752.0 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111200042A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;吴向龙;徐晓强;林伟;郑军 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种AlGaInP四元LED芯片制备方法，通过临时键合材料层键合临时键合衬底，并在欧姆接触层下端面键合制成键合层，利用电子束蒸发工艺在键合层下方制成永久衬底层，通过二次键合技术，实现P电极在上，从P面出光，这种方法既置换了衬底，实现发光效率的提升，同时获得了P面出光的传统电极结构，方便后续的电路管理。同时透明导电膜采用ITO或Zno或SiO2或TCF材料，其折射率有利于降低光线在硅胶、环氧等封装材料中的临界角，配合N型缓冲层粗化后制备的反射镜，比普通倒装芯片功率提高约20%‑30%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algainp led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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