[发明专利]半导体器件

摘要

本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括多个沟道、栅极结构和源极/漏极层。多个沟道分别设置在多个水平面处，并在衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开。栅极结构设置在衬底上，至少部分地围绕每个沟道的表面，并在基本上平行于衬底的上表面的第一方向上延伸。源极/漏极层设置在栅极结构的在第二方向上的相反两侧的每个处并且连接到沟道的侧壁，该第二方向基本上平行于衬底的上表面并基本上垂直于第一方向。栅极结构在第二方向上的长度在从衬底的上表面起在垂直方向上的第一高度处沿着第一方向变化。

主权项

1.一种半导体器件，包括：多个沟道，分别在多个水平面处，所述多个沟道在衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开；在所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构至少部分地围绕每个所述沟道的表面并在平行于所述衬底的所述上表面的第一方向上延伸；和源极/漏极层，在所述栅极结构的在第二方向上的相反两侧的每个处，该第二方向平行于所述衬底的所述上表面且垂直于所述第一方向，所述源极/漏极层连接到所述沟道的侧壁，其中所述栅极结构在所述第二方向上的长度在从所述衬底的所述上表面起在所述垂直方向上的第一高度处沿着所述第一方向变化。