[发明专利]一种压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811366144.3 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109282924B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;曹远志;黄见秋;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体压力传感器，半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构，半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管，顶栅型场效应晶体管包括设置在第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖源极/漏极的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的栅极，栅极为压电层；正对顶栅型场效应晶体管设置在所述第二衬底下表面的凹槽，源极/漏极对称设置在所述凹槽的两侧，栅极的外侧端部边缘覆盖源极/漏极的内侧的端部边缘或者与源极/漏极的内侧的端部边缘相对齐。本发明的半导体压力传感器通过压电效应产生的压电电荷为晶体管的栅极提供偏置，无需外加栅压就能工作，具有低功耗、高灵敏度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体压力传感器，其特征在于，所述半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构，所述半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管，所述顶栅型场效应晶体管包括设置在所述第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖所述源极/漏极的半导体层、覆盖所述半导体层的栅极绝缘层，形成在所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极为压电层；正对所述顶栅型场效应晶体管设置在所述第二衬底下表面的凹槽，所述源极/漏极对称设置在所述凹槽的两侧，所述栅极的外侧端部边缘覆盖所述源极/漏极的内侧的端部边缘或者与所述源极/漏极的内侧的端部边缘相对齐。
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