[发明专利]一种半导体压力传感器及其压力测量方法有效
| 申请号： | 201811366142.4 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109282923B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;何欣怡;李帆 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;G01L9/08;G01L19/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体压力传感器，其包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源，顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层，顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与电致变色器件的工作电极相连，顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线，电致变色器件的对电极接地；第二开关连接恒定电源的负极与第一开关，且第二开关、恒定电源所在旁路与电致变色器件相并联。另外，本发明提供了一种半导体压力传感器的压力测量方法，该方法无需使用复杂的接口电路，通过眼睛直接观察颜色即可获得当前环境的压力信息。本发明的半导体压力传感器具有功耗低、灵敏度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 压力传感器 及其 压力 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体压力传感器，其特征在于，所述半导体压力传感器包括顶栅型场效应晶体管、电致变色器件、第一开关、第二开关、恒定电源，所述顶栅型场效应晶体管的栅极包括压电层，所述顶栅型场效应晶体管的源极通过第一开关与所述电致变色器件的工作电极相连，所述顶栅型场效应晶体管的漏极连接电源线，所述电致变色器件的对电极接地；所述第二开关连接所述恒定电源的负极与所述第一开关，且所述第二开关、所述恒定电源所在旁路与所述电致变色器件相并联。
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