[发明专利]集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器有效

专利信息
申请号: 201811363372.5 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN109283236B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 王栎皓;朱银芳;赵俊元;杨晋玲;杨富华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李坤
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器,包括:微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路;谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路,惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振;通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS‑MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点,相比于同类MEMS器件和电路模块,占用面积减少了近90%,因此,非常适用于便携式检测,尤其是可穿戴系统,能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。
搜索关键词: 谐振式传感器 信号处理电路 惠斯通电桥 检测电路 待测物 灵敏 闭环 便携式检测 大规模制作 可穿戴系统 电路模块 化学化工 结构谐振 面积减少 频率变化 生物医疗 食品安全 输出信号 集成度 灵敏度 微流道 谐振腔 吸附 占用 航天 传递 国防 应用
【主权项】:
1.一种集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器,其中,包括:/n微流道谐振腔;/nMEMS悬臂梁结构,所述MEMS悬臂梁结构包括自由端和支撑端,所述MEMS悬臂梁结构包括自由端伸入所述微流道谐振腔,所述MEMS悬臂梁结构自由端包括生化反应区,用于与待测物的特异性反应;/n惠斯通电桥检测电路,与所述悬臂梁结构的支撑端连接;/nCMOS信号处理电路,与惠斯通电桥检测电路相连;所述CMOS信号处理电路引出电极用于通信;/n惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振;通过获取所述MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量;/n所述CMOS信号处理电路包括:电源管理、第一多路复用器、第二多路复用器、一级放大器、二级放大器、移相器、比较器、锁相环和正弦发生器;/n所述电源管理分别为所述惠斯通电桥式测量电路提供输入信号、所述CMOS信号处理电路提供稳定电源、所述锁相环提供稳定基准信号;/n所述第一多路复用器完成对MEMS悬臂梁结构的独立控制,减少悬臂梁或阵列工作时产生的热噪声;/n所述第二多路复用器完成对电桥的输出信号的独立控制,防止多路信号同时输出产生混乱,提高传感器精度和稳定性;/n所述一级放大器和二级放大器,两级级联放大对传感器获得的微小信号进行有效放大,降低了传感器的检测下限。/n
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