[发明专利]一种硅基光电子芯片与单模光纤的耦合方法在审
| 申请号： | 201811361876.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109407215A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王宗旺;夏晓亮 | 申请（专利权）人： | 杭州芯耘光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/30 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干区杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光通信设备技术领域，具体涉及一种硅基光电子芯片与单模光纤的耦合方法，在硅衬底上沉降生长二氧化硅层，硅波导设置在二氧化硅层内，单模光纤的端面处理成凸曲面形，单模光纤与二氧化硅层之间存在间隙，单模光纤与硅波导之间设置有至少一段低折射率波导，低折射率波导呈片状长方体形且两端为尖角，硅波导入射端为尖角，单模光纤的纤芯出射端与低折射率波导入射端对齐，低折射率波导与硅波导在水平方向上部分重叠，且在垂直方向上存在间隙，低折射率波导与硅波导两侧的二氧化硅层均加工有刻槽，刻槽深度大于硅波导埋入二氧化硅层的深度。本发明的有益效果是：通过低折射率波导的过渡，提高单模光纤与硅光芯片之间的耦合效率及容差。 | ||
| 搜索关键词： | 单模光纤 低折射率 硅波导 二氧化硅层 波导 光电子芯片 耦合 入射端 硅基 尖角 刻槽 光通信设备 长方体形 端面处理 凸曲面形 耦合效率 对齐 呈片状 出射端 硅衬底 沉降 硅光 埋入 容差 纤芯 芯片 生长 加工 | ||
【主权项】：
1.一种硅基光电子芯片与单模光纤的耦合方法，应用于单模光纤与硅波导的耦合，其特征在于，在硅衬底上设置二氧化硅层，硅波导设置在二氧化硅层内，单模光纤的端面处理成凸曲面形，单模光纤与二氧化硅层之间存在间隙，单模光纤与硅波导之间设置有至少一段低折射率波导，所述低折射率波导呈片状长方体形且两端为尖角，所述硅波导入射端为尖角，单模光纤的纤芯出射端与低折射率波导入射端对齐，所述低折射率波导与硅波导在水平方向上部分重叠，且在垂直方向上存在间隙，所述低折射率波导与硅波导两侧的二氧化硅层均加工有刻槽，所述刻槽深度大于硅波导埋入二氧化硅层的深度。
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